Samsung inicia produção em massa da memória eUFS 3.1 de 512 GB

A Samsung acaba de anunciar a produção em massa do primeiro eUFS 3.1 de 512 GB, tecnologia de armazenamento capaz de ultrapassar o limite de desempenho de 1 GB nos smartphones. O novo chip deve ser utilizado em smartphones top de linha, podendo chegar com o Galaxy Note 20.

O novo armazenamento tem velocidade de gravação três vezes maior que seu antecessor, podendo chegar a 1.200 MB / s, mais que o dobro da velocidade de um computador, baseado em SATA (540MB /s) e mais de dez vezes a velocidade de um cartão microSD UHS-I (90MB/s).

Além de sua velocidade de armazenamento, o Samsung 512GB eUFS 3.1 é capaz de armazenar imagens em tamanho grande e vídeos em 8k sem buffer.

Outra novidade, está na transferência de arquivos de um celular para outro, com a nova tecnologia de armazenamento, podemos mover 100GB de dados em apenas 1m30s, enquanto o sistema anterior levaria quatro minutos para efetuar a mesma ação.

De modo geral, o eUFS 3.1 de 512GB é 60% mais rápido que seu antecessor, UFS 3.0 conseguindo oferecer 100 mil operações por segundo (IOPS) para leitura e 70 mil IOPS para gravações.

A Samsung informa que também está trabalhando em versões de 256GB, 56GB e 128GB.

 " Com a introdução do armazenamento móvel mais rápido, os usuários de smartphones não precisarão mais se preocupar com o gargalo que enfrentam com os cartões de armazenamento convencionais. O novo eUFS 3.1 reflete nosso compromisso contínuo de apoiar as demandas crescentes dos fabricantes globais de smartphones este ano".
Cheol Choi, vice-presidente executivo de vendas e marketing de memória da Samsung Electronics.